檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "退火".ckeyword (精準) and year="94"
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本文採用430型不銹鋼(SUS430)取替Pt電極與矽晶片基板，搭配CO2低溫雷射退火製程，以改善傳統爐管之退火中導致元件產生介面擴散與氧化等問題，使得PZT鐵電薄膜與LSMO氧化物電極能成功鍍製於…
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本論文以原創且簡易的方式實現矽膜晶粒定位技術，其中分別有針狀型矽島陣列輔助晶粒定位和微透鏡陣列輔助晶粒定位兩種技術。前者，藉由SiON半透光膜輔助，成功的抑制住矽島橫向長晶，只需持續提高吸收係數，矽…
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為了達成塑膠基板薄膜電晶體的目標，我們成功開發出利用半吸光層經過準分子雷射回火後，可以實現低溫閘極絕緣膜的改質效果。而此絕緣膜是由100℃具吸收係數的SiONx與SiO2組成。 我們利用吸收係數40…
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本研究運用準分子雷射退火矽膜再結晶特性之線上光學雙檢測雷射系統即時檢測出非晶矽薄膜於準分子雷射退火期間反射率與穿透率之變異性，進而分析相關物理現象和量測矽膜融化時間；此外本研究亦改變矽膜厚度和基板預…
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本論文的長膜實驗採用一矽烷偶合劑γ-glycidoxypropyl-trimethoxysilane(γ-GPS)及辛氟甲苯(C7F8)為原料先驅物，藉由傳統平板式電漿輔助化學氣相沉積系統來成長低介…
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本研究利用改良式溶膠-凝膠法製備鋯鈦酸鉛(PZT)鐵電厚膜，使用二氧化碳雷射退火製程將厚膜非晶相結構轉換成具鐵電特性之鈣鈦礦結構，並與爐管退火作為比較。實驗中利用溶膠-凝膠法製備出500℃ ~ 75…